MOS驱动电路设计四种方案 电源IC直接驱动\推挽驱动\隔离驱动\加速关断驱动
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。
一、电源IC直接驱动
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。 ①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。 ②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。
二、推挽驱动
这种驱动方式使用两个互补的MOSFET，一个用于拉高栅极电压（开启MOSFET），另一个用于拉低栅极电压（关闭MOSFET）。这种方式可以实现非常快的开关速度，但需要更复杂的驱动电路。
当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。 这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
三、加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。 为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
如上图，是我之前用的一个电路，量产至少上万台，推荐使用。 用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。 还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。
四、隔离驱动
在需要电气隔离的应用中，可以使用光耦来驱动MOSFET。光耦可以将输入信号转换为光信号，然后再转换回电信号，从而实现电气隔离。这种方式可以提高系统的安全性和稳定性。
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。